厂家优惠 | ME1等离子体去胶机 北京科技自主研发，高效环保的晶圆去胶解决方案

在半导体制造、微电子封装、MEMS器件及光电材料加工等领域，光刻胶去除是极其关键的工艺环节。传统的湿法去胶容易造成材料损伤、侧壁残留和环境污染，而等离子体干法去胶凭借其高效、无损、环保等优势，正逐渐成为产线标配。

北京科技作为国内领先的等离子体设备制造商，长期专注于等离子体表面处理与刻蚀技术的研发与生产。公司针对科研院所、高校实验室及中小型产线推出ME1等离子体去胶机，并推出厂家直供优惠活动，旨在降低用户采购成本，加速国产替代进程。

一、ME1等离子体去胶机核心优势

1. 高效去胶能力
ME1采用射频（13.56MHz）电容耦合等离子体源，可产生高密度、高活性的氧基等离子体。在典型工艺条件下（O₂流量200sccm，功率300W，腔压80Pa），对正性光刻胶的去除速率可达500nm/min以上，完全去除1μm厚胶层仅需2分钟左右。对于残留的有机污染物、显影后残胶及刻蚀后的聚合物，均有出色的清除效果。

2. 温和无损处理
与湿法去胶或干法灰化相比，ME1的等离子体能量可控且不带电粒子轰击弱，不会对晶圆表面的栅氧化层、金属层或低k介质造成电学损伤。特别适用于薄片、化合物半导体（GaAs、GaN、SiC）、柔性衬底等敏感材料。

3. 环保与安全
等离子体去胶在真空闭环系统中进行，反应产物为CO₂、H₂O等气体，经尾气处理后可安全排放，避免了传统湿法使用的强酸、强碱及有机溶剂（如NMP、DMSO）带来的废液处理和人员健康风险。

4. 灵活的工艺配置
ME1支持O₂、Ar、CF₄、H₂等多种气体组合，可按需切换去胶、表面活化、轻微刻蚀等模式。内置终点检测功能（可选配），实现自动化工艺控制。同时兼容2-8英寸晶圆及不规则碎片，提供定制载片台。

5. 北京科技自主技术
设备核心部件（射频电源、匹配网络、真空腔室、气路系统）均为北京科技自主设计制造，拥有多项专利。控制系统基于工业级PLC+触摸屏，操作简洁，稳定性高，平均无故障时间超过5000小时。

二、厂家优惠活动详情
即日起至本年度内，北京科技针对ME1等离子体去胶机推出以下厂家直销优惠：

· 直降优惠：原价基础上直接减免15%，并赠送一年免费耗材包（含石英舟、密封圈等）；
· 以旧换新：老客户原有等离子设备可抵扣最高20%购机款；
· 科研专项：高校及科研院所凭借有效证明，额外享受5%教育折扣；
· 免费工艺验证：用户可寄送样品至北京科技应用实验室，免费进行去胶效果测试并出具报告；
· 延长质保：整机质保由1年延长至2年，核心射频电源质保3年。

优惠名额有限，具体报价和配置方案请与北京科技销售工程师沟通确认。

三、技术参数速览

· 等离子体源：RF 13.56MHz，功率0-500W连续可调
· 腔体材质：铝合金或不锈钢（可选）
· 极限真空：≤5Pa（可加装分子泵达到1Pa以下）
· 气体通道：2-4路质量流量控制器（MFC）
· 载片方式：石英舟、托盘或定制夹具
· 控制方式：7寸彩色触摸屏+PLC，支持配方存储与调用
· 外形尺寸：约600×600×800mm（不含泵）
· 电源要求：AC220V，50/60Hz，1.5kW

四、典型应用场景

· 半导体前道：光刻后去胶、刻蚀后聚合物去除、离子注入后光刻胶去除
· 先进封装：晶圆级封装（WLP）中的PI、PBO胶去除
· MEMS加工：牺牲层去除、释放刻蚀
· 光电子与显示：LED芯片、OLED掩膜版清洗
· 科研实验：石墨烯转移、二维材料表面处理、TEM样品制备

五、用户常见问题解答

问：ME1等离子体去胶机是否可以处理金属表面的光刻胶？
答：可以。但需要针对金属种类选择工艺气体，避免氧化或腐蚀。例如金表面可采用O₂+Ar，铝表面可加少量CF₄，铜表面需谨慎控制氧含量，建议先做样品测试。

问：设备是否需要高压或特殊排气？
答：ME1使用常规AC220V供电，无需高压。排气可接入实验室通风管道或使用小型干泵+尾气过滤器，北京科技提供整套真空与排气方案。

问：厂家优惠是否包含安装调试与培训？
答：是的。优惠套餐内包含免费上门安装、工艺调试及操作培训，确保用户能够独立运行去胶程序。

北京科技始终以“国产替代、自主可控”为目标，通过ME1等离子体去胶机等高性价比产品，助力国内半导体及新材料产业降本增效。如果您正在寻找稳定可靠的等离子体去胶设备，欢迎联系北京科技获取详细资料与优惠报价。

（注：文中性能数据基于北京科技内部测试标准，实际效果可能因样品及工艺条件不同而略有差异。）